ورود به سامانه عضویت در سامانه
 
صفحه اصلی مقالات پذیرفته شده
بررسی اثر روش لایه نشانی بر خواص نوری-الکتریکی لایه نازک اکسید روی نانو ساختار تهیه شده به روش سل-ژل
کد مقاله : 1985-IMES-CONGR-FULL
نویسندگان:
رضا ابراهیمی فرد *1، محمدرضا گلبستان فرد2، حسین عبدی زاده3
1تهران، میدان صادقیه، خیابان کاشانی، شهر زیبا، تعاون، شربیانی، نیلوفر، کوچه آسیا یکم، پلاک 12، طبقه چهارم
2دانشجو/ دانشگاه تهران، پردیس دانشکده های فنی، دانشکده مهندسی متالورژی و مواد
3دانشیار/ دانشگاه تهران، پردیس دانشکده های فنی، دانشکده مهندسی متالورژی و مواد
چکیده مقاله:
در پژوهش حاضر، لایه نشانی چرخشی و لایه نشانی غوطه وری، به عنوان دو روش مرسوم و پر کاربرد در تولید لایه نازک اکسید روی، از دیدگاه خواص نوری و الکتریکی مقایسه شدند. نمونه های یک، شش و بیست لایه از لایه نازک اکسید روی آلاییده شده با آلومینیوم، توسط هر دو روش تولید شدند و خواص نوری و الکتریکی آن ها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج حاصل نشان دادند که در تعداد یکسان لایه نشانی، ضخامت نمونه های تولید شده توسط روش چرخشی کمتر از ضخامت نمونه های تولید شده توسط روش غوطه وری است. در بررسی های نوری مشخص شد که افزایش ضخامت از یک سو سبب افزایش میزان جذب در ناحیه فرابنفش شده و از سویی دیگر منجر به ایجاد اشکال نوسانی در ناحیه مرئی در نمودار های تست طیف سنجی فرابنفش- مرئی می گردد. همچنین محاسبه مقادیر فاصله باند در مورد نمونه های فوق نشان داد که نمونه های تک لایه به شدت تحت تاثیر زیر لایه و کرنش های داخلی قرار دارند و در نتیجه مقدار فاصله باند آن ها اختلاف زیادی با نمونه های شش و بیست لایه دارد. نتایج حاصل از تست مقاومت سنجی نشان دادند که مقاومت الکتریکی نمونه تهیه شده توسط لایه نشانی چرخشی، چهار برابر مقاومت الکتریکی نمونه های تهیه شده به روش غوطه وری بود. در انتها نیز مقایسه کلی میان دو روش چرخشی و غوطه وری از منظر فرآیند و خواص صورت گرفت.
کلیدواژه ها:
اکسید روی، لایه نازک، نانو ساختار، خواص نوری- الکتریکی، سل-ژل
وضعیت : مقاله برای ارائه شفاهی پذیرفته شده است